Behörighetskrav

120 hp inom teknik/naturvetenskap inklusive 10 hp elektronik och 15 hp matematik. Engelska 6. Med en svensk kandidatexamen uppfylls kravet på engelska.)

Mål

Efter godkänd kurs ska studenten kunna:

• analysera fysikaliska fenomen och beräkna fysikaliska storheter inom halvledarfysik,
• värdera transportmekanismer i halvledare,
• modellera dioder och transistorer i nya, realistiska fall,
• analysera I-V och C-V karakteristik av halvledarkomponenter såsom dioder och transistorer,
• använda dioder och transistor i enkla kretsar,
• simulera och analysera konstruktion av elektroniska kretsar med hjälp av programvara.

Innehåll

Fasta och rörliga laddningar samt dopning. Generation och rekombination av laddningsbärare. Teorin för strömtransport i halvledare. pn-övergången och metall-halvledar-övergången. MOS-kondensatorn. MOS-transistorn. Bipolar junction transistor. Piezoelektricitet, Peltier- och Seebeckeffekten, solceller.

Undervisning

Föreläsningar, problemlösningar i grupp. Laborationer. Föreläsningar, grupparbeten och laborationer kommer att använda sig av online-verktyg.

Examination

Skriftlig redovisning av laborationer (1 hp), skriftliga quiz (2 hp), samt skriftlig tentamen (2 hp).

Om särskilda skäl finns får examinator göra undantag från det angivna examinationssättet och medge att en enskild student examineras på annat sätt. Särskilda skäl kan t.ex. vara besked om särskilt pedagogiskt stöd från universitetets samordnare för studenter med funktionsnedsättning.